MOSFET: ການປະຕິບັດແລະຂອບເຂດຂອງຫລັກການຂອງການ

ຮຽນຄຸນສົມບັດຂອງວັດສະດຸເຊັ່ນ semiconductor ໄດ້, ອະນຸຍາດໃຫ້ເຮັດໃຫ້ການຄົ້ນພົບການປະຕິວັດ. ໃນໄລຍະທີ່ໃຊ້ເວລາມີເຕັກໂນໂລຊີການຜະລິດ diodes, transistors MOS, thyristors ແລະອົງປະກອບອື່ນໆທາງທຸລະກິດ. ພວກເຂົາສົບຜົນສໍາເລັດການທົດແທນຫລອດສູນຍາກາດແລະອະນຸຍາດໃຫ້ຮັບຮູ້ຄວາມຄິດ daring ທີ່ສຸດ. ອົງປະກອບຂອງສານກຶ່ງຕົວນໍາທີ່ໃຊ້ໃນທຸກໆດ້ານຂອງຊີວິດຂອງພວກເຮົາ. ພວກເຂົາຈະຊ່ວຍໃຫ້ພວກເຮົາດໍາເນີນການຈໍານວນມະຫາສານຂອງຂໍ້ມູນຂ່າວສານກ່ຽວກັບພື້ນຖານຂອງຄອມພິວເຕີຂອງພວກເຂົາແມ່ນຜະລິດຕະພັນ, ເທັບບັນທຶກໂທລະທັດ, ແລະອື່ນໆ

ນັບຕັ້ງແຕ່ invention ຂອງ transistor ທໍາອິດ, ແລະມັນແມ່ນຢູ່ໃນປີ 1948, ຜ່ານການເວລາດົນນານ. germanium ຈຸດ, ຊິລິຄອນ, ພາກສະຫນາມ, ຜົນກະທົບ transistor ຫຼື MOSFET: ມີການປ່ຽນແປງຂອງອົງປະກອບນີ້ໄດ້. ທັງຫມົດຂອງພວກເຂົາໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ. ການສຶກສາຂອງຄຸນສົມບັດຂອງ semiconductors ຈະບໍ່ຢຸດເຊົາການໃນເວລາຂອງພວກເຮົາ.

ສຶກສາເຫຼົ່ານີ້ໄດ້ນໍາໄປສູ່ການລະນີສຸກເສີນຂອງອຸປະກອນດັ່ງກ່າວເປັນການ MOSFET. ຫຼັກການຂອງການດໍາເນີນ ມັນແມ່ນອີງໃສ່ຄວາມຈິງທີ່ວ່າສະຫນາມໄຟຟ້າ (ເພາະສະນັ້ນຊື່ອື່ນ - ພາກສະຫນາມ) ຄວາມແຕກຕ່າງກັນດໍາເນີນການຂອງຫນ້າດິນຂອງຊັ້ນສານກຶ່ງຕົວນໍາໄດ້ຢູ່ຊາຍແດນກັບກໍາບັງໄຟຟ້າໄດ້. ຄຸນສົມບັດນີ້ແມ່ນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກສໍາລັບຈຸດປະສົງຕ່າງໆ. MOS transistor ມີໂຄງປະກອບທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້ຫຼຸດລົງການຕໍ່ຕ້ານລະຫວ່າງເດັກແລະບອນ່ພາຍໃຕ້ອິດທິພົນຂອງສັນຍານຄວບຄຸມໄດ້ຢ່າງຊັດເຈນທີ່ຈະສູນໄດ້.

ຄຸນສົມບັດຂອງມັນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນຈາກ bipolar "ຄູ່ແຂ່ງ". ມັນແມ່ນເຂົາເຈົ້າຜູ້ທີ່ກໍານົດຂອບເຂດຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຕົນໄດ້.

• ປະສິດທິພາບສູງສຸດແມ່ນບັນລຸໄດ້ໂດຍ miniaturizing ໄປເຊຍກັນຕົນເອງແລະຄຸນສົມບັດເປັນເອກະລັກຂອງຕົນ. ນີ້ແມ່ນເນື່ອງມາຈາກຄວາມຫຍຸ້ງຍາກໃນການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາ. ປະຈຸບັນ, ໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກຜະລິດໄດ້ມີ 006 micron ຕູ.
• A ການປ່ຽນແປງຂະຫນາດນ້ອຍ capacitance ເຮັດໃຫ້ອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ເພື່ອປະຕິບັດງານໃນວົງຈອນຄວາມຖີ່ສູງ. ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ເປັນ LSI ກັບການນໍາໃຊ້ຂອງເຂົາເຈົ້າໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງສໍາເລັດຜົນໃນການສື່ສານໂທລະສັບມືຖື.
• ເກືອບສູນຕໍ່ຕ້ານ, ທີ່ມີ MOSFET ໃນສະຖານະເປີດ, ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເປັນໃຊ້ເອເລັກໂຕຣນິກ. ພວກເຂົາເຈົ້າສາມາດເຮັດວຽກໃນວົງຈອນສໍາລັບການສ້າງສັນຍານຄວາມຖີ່ສູງຫຼືສໍາລັບການແກ້ອົງປະກອບເຊັ່ນ: ຄົນຂະຍາຍການດໍາເນີນ.
• ອຸປະກອນປະສິດທິພາບຂອງປະເພດນີ້ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງສໍາເລັດຜົນໃນໂມດູນພະລັງງານແລະສາມາດລວມເຂົ້າໃນວົງຈອນ induction ໄດ້. A ຍົກຕົວຢ່າງທີ່ດີຂອງການນໍາໃຊ້ຂອງເຂົາເຈົ້າອາດຈະ inverter ການ.

ໃນເວລາທີ່ການອອກແບບແລະການເຮັດວຽກກັບອົງປະກອບເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນມີຄວາມຈໍາເປັນທີ່ຈະພິຈາລະນາຄຸນສົມບັດຈໍານວນຫນຶ່ງ. MOSFETs ມີບັນຫາ overvoltage ແລະປີ້ນກັບກັນໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍເຊັ່ນການແລກ. ວົງຈອນການຫນ່ຽວນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປຄວາມໄວສູງ diodes Schottky ສໍາລັບການປັບໃຫ້ລຽບກໍາມະຈອນເຕັ້ນແຮງດັນໄດ້ຢ່າງສິ້ນເຊີງ, ຊຶ່ງເກີດຂຶ້ນໃນໄລຍະປ່ຽນ.

ຄວາມສົດໃສດ້ານສໍາລັບການນໍາໃຊ້ຂອງອຸປະກອນເຫຼົ່ານີ້ມີຂະຫນາດໃຫຍ່ທີ່ຂ້ອນຂ້າງ. ການປັບປຸງເຕັກໂນໂລຊີທີ່ຜະລິດຂອງເຂົາເຈົ້ານີ້ແມ່ນກ່ຽວກັບວິທີການເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນ crystal (ການຂູດຫີນປູນ shutter) ໄດ້. ຄ່ອຍໆອຸປະກອນທີ່ມີຄວາມສາມາດໃນການຄຸ້ມຄອງມໍເຕີປະສິດທິພາບຫຼາຍທີ່ພົ້ນເດັ່ນຂື້ນ.